TI专家讲解：ARM 中常驻RAM的程序设计方法
本文感谢TI Triton.zhang 的撰写过去由于微控制器的寻址空间以及RAM的价格和容量的限制，系统运行后，微控制器不得不频繁地访问ROM读取指令。总所周知，RAM的访问速度比ROM快几倍到十几倍，例如，ATMEL公司的AT4BV162(FLASH)的访问时间是70ns, 三星公司的K6R4016(SDRAM)的访问时间只需要10ns左右，二者相差了近7倍。随着ARM微控制器的出现，微控制的运行速度和寻址能力都有所增强。ATMEL公司的ARM7微控制器AT91M55800A的指令执行速度可以达到30MHz以上，在访问FLASH时，要插入3个等待周期和2个数据浮空输出周期，而访问SDRAM时，则无需插入等待周期和数据浮空输出周期，由此可见，微控制器和SDRAM的访问速度十分接近。通过以上分析可知，提高ROM的访问速度或者将程序加载到RAM中运行，两种方法都可以提高微控制器的工作效率。但是由于ROM的结构和工艺的原因，采用前一种方法所需要的成本和技术难度都远远大于后一种方法。
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